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MOS FET和红外发光二极管进行光结合的 高度为2.1mm的薄小平型 小外形封装MOS FET继电器 |
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- 连续负载电流350mA。
- 输入输出间耐压1500Vrms。
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接点结构 |
端子种类 |
负载电压 |
型号 |
1a |
表面安装端子 |
AC350V峰值 |
G3VM-351G |
G3VM-351G(TR) |
项目 |
符号 |
额定 |
单位 |
条件 |
输入侧 |
LED正向电流 |
IF |
50 |
mA |
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反复峰值LED正向电流 |
IFP |
1 |
A |
100μs脉冲、100pps |
直流正向电流降低比率 |
△IF/℃ |
-0.5 |
mA/℃ |
Ta 25℃ |
LED反向电流 |
VR |
5 |
V |
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粘合部位温度 |
TJ |
125 |
℃ |
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输出侧 |
输出耐压 |
VOFF |
350 |
V |
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连续负载电流 |
IO |
110 |
mA |
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导通电流降低比率 |
△ION/℃ |
-1.1 |
mA/℃ |
Ta 25℃ |
粘合部位温度 |
TJ |
125 |
℃ |
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输入输出间耐压(注1) |
VI-O |
1500 |
Vrms |
AC持续1分钟 |
使用环境温度 |
Ta |
-40~+85 |
℃ |
不结冰、凝露 |
贮藏温度 |
Tstg |
-55~+125 |
℃ |
不结冰、凝露 |
焊接温度条件 |
— |
260 |
℃ |
10s |
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。 |
从此 |
符号 |
最小 |
标准 |
最大 |
单位 |
条件 |
输入侧 |
LED正向电压 |
VF |
1.0 |
1.15 |
1.3 |
V |
IF=10mA |
反向电流 |
IR |
— |
— |
10 |
μA |
VR=5V |
端子间电容 |
CT |
— |
30 |
— |
pF |
V=0、f=1MHz |
触发LED正向电流 |
IFT |
— |
1 |
3 |
mA |
IO=100mA |
输出侧 |
最大输出导通电阻 |
RON |
— |
25 |
35 |
Ω |
IF=5mA、IO=110mA、t<1s |
— |
35 |
50 |
Ω |
IF=5mA、IO=110mA |
开路时漏电流 |
ILEAK |
— |
— |
1.0 |
μA |
VOFF=350V |
输入输出间电容 |
CI-O |
— |
0.8 |
— |
pF |
f=1MHz、VS=0V |
输入输出间电容绝缘电阻 |
RI-O |
1000 |
— |
— |
MΩ |
VI-O=500VDC、ROH60% |
动作时间 |
tON |
— |
0.3 |
1.0 |
ms |
IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2) |
回复时间 |
tOFF |
— |
0.1 |
1.0 |
ms |
(注2): 动作· 回复时间 |
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MOS FET和红外发光二极管进行光结合的,高度为2.1mm的薄小平型,小外形封装MOS FET继电器