MOS FET继电器

G3VM-61LR MOS FET继电器

	世界最小SSOP包装.实现C*R=20PF.Ω的新型MOS FET继电器?(coff(标准)=20pF.Ron(标准)=1Ω)负载电压60V型
	可抑制输出信号衰减的导通电阻=1Ω(标准)

种类 接点结构 端子种类 负载电压 型号 1a 表面安装端子 AC60V峰值 G3VM-61LR G3VM-61LR(TR) 额定值|性能 ·绝对最大额定（Ta＝25℃） 项目 符号 额定 单位 条件 输入侧 LED正向电流 IF 50 mA   反复峰值LED正向电流 IFP — A 100μs脉冲、100pps 直流正向电流降低比率 △IF/℃ -0.5 mA/℃ Ta >=25℃ LED反向电流 VR 5 V   粘合部位温度 TJ 125 ℃   输出侧 输出耐压 VOFF 60 V   连续负载电流 IO 400 mA   导通电流降低比率 △ION/℃ -4.0 mA/℃ Ta >=25℃ 粘合部位温度 TJ 125 ℃   输入输出间耐压(注1) VI-O 1500 Vrms AC持续1分钟 使用环境温度 Ta -20～+85 ℃ 不结冰、凝露 贮藏温度 Tstg -40～+125 ℃ 不结冰、凝露 焊接温度条件 — 260 ℃ 10s （注1）:测量输入输出间的耐压时，分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。 ·电气性能（Ta＝25℃） 项目 符号 最小 标准 最大 单位 条件 输入侧 LED正向电压 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA 反向电流 IR — — 10 μA VR=5V 端子间电容 CT — 15 — pF V=0、f=1MHz 触发LED正向电流 IFT — 2 5 mA IO=100mA Ron<1.5Ω 输出侧 最大输出导通电阻 RON — 1.0 1.5 Ω IF=5mA、IO=400mA 开路时漏电流 ILEAK — 10 1 μA VOFF=60V Ta=25℃ 端子间的电容 C0FF — — — PF V=0、f=100MHz t<1S 输入输出间电容 CI-O — 0.3 — pF f=1MHz、VS=0V 输入输出间电容绝缘电阻 RI-O 1000 — — MΩ VI-O=500VDC、ROH<=60% 动作时间 tON — 0.3 1 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V（注2） 回复时间 tOFF — 0.2 1 ms （注2）: 动作· 回复时间 外形尺寸 (单位:mm) G3VM-61lR 质量:0.03g ※标记内容与实际商品有所不同。 安装衬垫尺寸（推荐值）(BOTTOM VIEW) 端子布置/内部接线图(TOP VIEW)

世界最小SSOP包装.实现C*R=20PF.Ω的新型MOS FET继电器?(coff(标准)=20pF.Ron(标准)=1Ω)负载电压60V型