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低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOS FET继电器负载电压20V型 |
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- 特别注重高频特性的输出端子容量=1PF（标准）
- 开路时漏电流1.0nA(最大)
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接点结构 |
端子种类 |
负载电压 |
型号 |
| 1a |
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AC20V峰值 |
G3VM-21GR |
| G3VM-21GR(TR) |
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项目 |
符号 |
额定 |
单位 |
条件 |
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输入侧 |
LED正向电流 |
IF |
50 |
mA |
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| 反复峰值LED正向电流 |
IFP |
1 |
A |
100μs脉冲、100pps |
| 直流正向电流降低比率 |
△IF/℃ |
-0.5 |
mA/℃ |
Ta >=25℃ |
| LED反向电流 |
VR |
5 |
V |
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| 粘合部位温度 |
TJ |
125 |
℃ |
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输出侧 |
输出耐压 |
VOFF |
20 |
V |
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| 连续负载电流 |
IO |
160 |
mA |
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| 导通电流降低比率 |
△ION/℃ |
-1.6 |
mA/℃ |
Ta >=25℃ |
| 粘合部位温度 |
TJ |
125 |
℃ |
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输入输出间耐压(注1) |
VI-O |
1500 |
Vrms |
AC持续1分钟 |
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使用环境温度 |
Ta |
-20～+85 |
℃ |
不结冰、凝露 |
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贮藏温度 |
Tstg |
-40～+125 |
℃ |
不结冰、凝露 |
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焊接温度条件 |
— |
260 |
℃ |
10s |
| （注1）:测量输入输出间的耐压时，分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。 |
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项目 |
符号 |
最小 |
标准 |
最大 |
单位 |
条件 |
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输入侧 |
LED正向电压 |
VF |
1.0 |
1.15 |
1.3 |
V |
IF=10mA |
| 反向电流 |
IR |
— |
— |
10 |
μA |
VR=5V |
| 端子间电容 |
CT |
— |
15 |
— |
pF |
V=0、f=1MHz |
| 触发LED正向电流 |
IFT |
— |
— |
4 |
mA |
IO=100mA |
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输出侧 |
最大输出导通电阻 |
RON |
— |
5 |
8 |
Ω |
IF=5mA、IO=160mA、T<1S |
| 开路时漏电流 |
ILEAK |
— |
— |
1.0 |
μA |
VOFF=20V Ta=50℃ |
| 端子间电容 |
COFF |
— |
1.0 |
2.5 |
pF |
V=0、f=100MHz T<1S |
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输入输出间电容 |
CI-O |
— |
0.8 |
— |
pF |
f=1MHz、VS=0V |
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输入输出间电容绝缘电阻 |
RI-O |
1000 |
— |
— |
MΩ |
VI-O=500VDC、ROH<=60% |
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动作时间 |
tON |
— |
— |
1.0 |
ms |
IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V（注2） |
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回复时间 |
tOFF |
— |
— |
1.0 |
ms |
| （注2）: 动作· 回复时间 |
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低实现低C*R=5PF.Ω的新型MOS FET继电器负载电压20V型